有機金属化学気相成長装置（MO-CVD）

減圧された反応炉で有機金属化合物（Ⅲ－Ⅴ族）と水素化合物を熱分解し、基板上に化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させます。

減圧式化学的気相成長装置（LP-CVD）

減圧された反応炉で多結晶シリコン（SiN膜、Poly－Si膜）又は酸化膜を基板上に形成させ
ます。

半導体成膜用液体材料供給器

半導体薄膜形成に必要な化学反応ガスの原料を液体で供給します。有機系材料、腐食性材料等ご使用になる液体材料に合わせ各種対応しております。

触媒評価装置

様々な用途に合わせて装置を製作いたします。原料ガス・液、温度、圧力、流量、分析、自動・手動制御などご提示頂ければ、見積り・資料の作成等をいたします。

全自動触媒ガス吸着量測定装置

バルス法による触媒ガス吸着量測定装置です。サンプルセット後は分析とデータ処理を自動で行います。４サンプル又は６サンプルの連続測定が可能です。

ガス吸着量測定装置

バルス法による触媒ガス吸着量測定装置です。サンプルセット後は分析とデータ処理を自動で行います。

コンパクトフロー

迅速に分析のできるマイクロガスクロを搭載したコンパクトな触媒反応システムです。