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プラズマ・イオンプレーティング成膜装置
プラズマ・イオンプレーティング成膜装置
特長

高密度プラズマを生成する長寿命の圧力勾配型プラズマガンと独自の材料昇華制御技術を融合した真空成膜装置です。
非加熱成膜の低基板温度(80〜130℃)と高成膜レート(100nm/分)で、酸化亜鉛(GZO)を始めITOの低抵抗、密着性、表面平坦性はもとより、結晶性が優れた薄膜を成膜できます。

これからも酸化物/窒化物の薄膜の積極的な応用展開を図っていきます。

仕様
蒸着方向
フェースダウン
基板サイズ
300mm×400mm
成膜材料
ZnO ITO
システム構成
枚葉方式、インライン方式、クラスタ方式
受託成膜のご案内
装置導入を考えて頂いているお客様のための成膜評価用の装置を準備し、評価サンプル成膜をご提供しています。

プラズマ・イオンプレーティング真空装置

高密度プラズマビームで、材料を昇華・イオン化して薄膜を形成します。

低抵抗
Z-TOPSで成膜したGZO、ITO薄膜のシート抵抗と膜厚を示します。

GZO薄膜

ITO薄膜

表面平坦性

Z-TOPS GZO薄膜

Z-TOPS ITO薄膜

市販品 ITO薄膜

平均面粗さ(Ra)
0.886nm
最大山(Rp)
7.232nm
二乗平均粗さ(RMS)
1.166nm
平均面粗さ(Ra)
0.840nm
最大山(Rp)
7.232nm
二乗平均粗さ(RMS)
1.095
平均面粗さ(Ra)
2.618nm
最大山(Rp)
40.64nm
二乗平均粗さ(RMS)
3.703nm

Z-TOPSを用いたGZO、ITO薄膜の平均面粗さは、市販ITO薄膜の1/3以上の平坦性が得られます。

平均面粗さ(Ra)<1nm、最大山(Rp)<10nm
結晶性
X 線回析で、(0002)面、(0004)面に回析ピークが観測され、酸化亜鉛薄膜のc 軸配向性を示していることが解ります。回析ピークの強度も強く、結晶性の良さが推測されます。

断面透過型電子顕微鏡像

X線回析(2θ-ω)

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