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事業紹介
半導体・その他装置
有機金属化学的気相成長装置
減圧式化学的気相成長装置
横型酸化・拡散炉システム
半導体成膜用液体材料供給器
ライフタイムプロファイラ
プラズマ・イオンプレーティング成膜装置
有機金属化学気相成長装置(MO-CVD)
減圧された反応炉で有機金属化合物(V−X族)と水素化合物を熱分解し、基板上に化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させます。
有機金属化学気相成長装置(MO-CVD)
1. ウエハサイズ及び処理能力
6インチ8枚or5枚/バッチ
4インチ6枚/バッチ
3インチ10枚/バッチ
2. カセットtoカセット対応(オプション)
完全な自動化に対応致します。
ハンドラは割れやすい化合物半導体ウエハ専用に設計。
6インチ、4インチ切換えが容易に行えます。
3. 水素雰囲気
半導体レーザの為に高純度水素雰囲気下でのカセットtoカセットを実現しました。
4. 高い均一性
ウエハを自転及び公転させることにより高い均一性を実現しました。また、サセプタを外周部から駆動(特許)することにより上下動が極めて少なく安定的な回転を確保しました。
5. 歩留まり
ウエハのエピ成長面を下向きにすることで、パーティクルの影響を無くし、結晶欠陥を低減しています。
6. 優れた温度制御性
マルチゾーン加熱の為、炉内温度の制御性(温度分布、昇温降温)に優れています。
7. 高速ガス切換
長年の経験を活かし、高速ソース切換えシステムを設計しました。 ガス部品には集積化部品を採用し部品内部のデットボリュームを極小にすることで、多層成長膜が要求する界面の急峻性を実現しました。
8. ソフトウエア
プロセスを熟知した操作性の良いWindowsベースのプログラムと、最新のコントローラを採用したことにより、高い信頼性と操作性を実現。お客様のプロセス条件へ簡単にレシピ変更が行えます。また、上位コンピュータへの接続も容易に行えます。
9. その他
お客様独自のご要求にも対応させて頂きます。
プロセス技術、ハード技術等専門のスタッフによりきめ細かく対応させて頂きます。
大型量産機から小型、研究開発機まで対応させて頂きます。
発注前、導入前にお客様専用のプロセスを弊社のラボ機で確認できます。
プロセス条件など、専門家集団がご相談に応じさせて頂きます。
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